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检测项目:
反向电流IR,正向电压VF,功率检波效率(ηp),噪声电压(vn),工作电压的温度系数(αVz),恢复电荷(Qr),时间参数,电压参数,电压检波效率(ηv),电容参数,电导参数,电流参数,电阻参数,调整电流的温度系数(αIs),反向电流(IR),工作电压(VZ),微分电阻(rZ),正向电压(VF),击穿电压V(BR),反向漏电流 IR,工作电压 VZ,微分电阻 RZ,正向电压 VF,反向电流IR,正向电压VF,反向漏电流IR,正向电压 VF,击穿电压V(BR),反向漏电流 IR,工作电压 VZ,微分电阻 RZ,反向电流,正向电压,击穿电压,工作电压,反向漏电流IR,正向直流电压VF,正向电压 VF,工作电压 VZ,击穿电压V(BR),反向漏电流 IR
检测标准:
1、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T 6571-1995(IEC 60747-3:1985)
2、GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 7.1.3.1
3、GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第1节1
4、GB/T 6571-1995(IEC 60747-3:1985) 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅲ章1节3.5
5、GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 4023-2015
6、GJB128A-1997 《半导体分立器件试验方法》 4016
7、GB/T4023-2015 《半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》 7.1.4.1
8、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4016
9、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
10、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第1节 1
11、GB/T6571-1995(IEC60747-3:1985) 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管