半导体IGBT电路检测

该检测的检测对象是什么?检测项目是什么?检测标准是什么?我们严格按照标准进行检测和评估，确保检测结果的准确性和可靠性。同时，我们还根据客户的需求，提供个性化的检测方案和报告，帮助厂家更好地了解产品质量和性能。我们只做真实检测。

检测对象：

半导体IGBT电路检测

检测项目：

低温测试,反向恢复时间trr,密封,开关时间(td(on),tr,tf,td(off)),最大集电极电流IC,栅极-发射极阈值电压VGE(ON),栅极漏电流IGES,栅电荷(Qg,Qgs,Qgd),正向跨导gfs,稳态热阻Rja，Rjc,老炼试验,集电极-发射极击穿电压V(BR)CES,集电极-发射极通态电压VCE(ON),集电极-发射极饱和电压VCE(sat),集电极峰值电流ICM,高温反偏试验,高温寿命,高温测试

检测标准：

1、GB/T4586-1994 半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 第Ⅳ章第10条

2、JESD51-14-2010 半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法

3、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.3.3

4、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 1071

5、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节4.2.3，4.2.4

6、GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 108

7、MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F

8、 GB/T 29332-201 半导体器件 分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012

9、MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3472.2